Контакты Карта сайта
Тел. (499) 553-05-65
Факс. (499) 258-01-26

 

    Внимание, все материалы на сайте представлены в ознакомительных целях

 

X Научно-техническая конференция 15-16 декабря 2010

 


г. Москва   

16 декабря 2010 г.




   В работе научно-технической конференции «Системы и источники вторичного электропитания», проводимой АО «ГК «Электронинвест» в период с 15 по 16 декабря 2010 года, приняли участие представители более 120 предприятий и организаций оборонно-промышленного комплекса.
   В выступлениях участников конференции отмечены достижения ведущих отечественных разработчиков источников вторичного электропитания (ИВЭП) (АО «ГК «Электронинвест», ОАО «НПП «ЭлТом» и др.) по созданию современных модулей питания категории качества «ВП» на отечественной элементной базе:

 

  Однако, наряду с достижениями, был отмечен ряд причин, сдерживающих дальнейшее развитие ИВЭП и функциональных узлов для систем вторичного электропитания:

  1. Резкий спад финансирования разработок и освоения ЭКБ в последние 3-4 года, необходимых для комплектования перспективных ИВЭП (отставание по техническим и массогабаритным характеристикам от аналогичных зарубежных образцов источников вторичного электропитания (ИВЭП)).
  2. НИОКР по подпрограмме «Создание электронной компонентной базы...» Федеральной целевой программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса РФ на 2011-2020 годы» (разделы 3, 4 и 6) по техническим характеристикам не согласованы с НИОКР по разработке источников вторичного электропитания (ИВЭП) (раздел 7).
  3. Отсутствие отечественной элементной базы для производства источников вторичного электропитания (ИВЭП) на уровне зарубежных аналогов ( БВД с частотами переключения выше 200 кГц и напряжением свыше 100 В, МОП-транзисторов с малыми входными емкостями (4÷6 нФ) и рабочими токами выше 10 А, ИМС ШИМ-контроллеров и ИСН рабочей частотой свыше 1 МГц, высокочастотных ферритов с малыми потерями (узкой петлей гистерезиса)  и др.).
  4. Критическое состояние в стране с разработкой и производством конденсаторов (отсутствие технической и организационной идеологии в данной области, отсутствие отечественных материалов для их производства, ухудшение качества серийно выпускаемых изделий, постепенное самоустранение головного предприятия данной отрасли (ОАО «НИИ «Гириконд») от решения вопросов координации работ по выходу из сложившейся ситуации и т. д.).
  5. Существенное снижение качества поставляемой ЭКБ, в частности по дискретным полупроводниковым приборам, выпускаемым предприятиями-монополистами (особенно острая ситуация, несмотря на усилия руководства предприятия,  с производством на ОАО «ВЗПП-С»).
  6. Увеличение сроков поставок комплектующих для изготовления источников вторичного электропитания (ИВЭП). В ряде случаев задержки с поставками достигают 60-90 суток, что приводит к срыву сроков по оплаченным договорам поставок и даже к частичной остановке производства источников вторичного электропитания (ИВЭП).
  7. Отсутствие необходимой ЭКБ для комплектования источников вторичного электропитания (ИВЭП) повышенного уровня качества не позволяет приступить к работам по освоению ИВЭП категорий качества «ОСМ» («ОС») (КА со сроком активного существования 10 и более лет).
  8. Несоответствие нормативной базы источников вторичного электропитания (ИВЭП) современным требованиям и международным стандартам.

  Участники конференции отмечают важность применения карбид-кремниевых технологий при производстве полупроводниковых приборов с одновременным созданием пассивных элементов, позволяющих в полной мере использовать преимущества такой технологии при конструировании источников вторичного электропитания (ИВЭП) (рабочая температура — до 3500С, номинальные токи — до 300 А, отсутствие пробивного напряжения и теплового пробоя, малая температурная зависимость параметров, повышенная радиационная стойкость — до 1000 кРад).

   Заслушав и рассмотрев доклады и предложения Конференция приняла следующее

 

РЕШЕНИЕ:

 

  1. Одобрить инициативу и практику АО «ГК «Электронинвест» по проведению ежегодных конференций. Конференции позволяют регулярно знакомиться с последними достижениями как в области разработки источников вторичного ИВЭП, так и элементной базы для них, координировать работу разработчиков источников вторичного электропитания (ИВЭП) с учетом пожеланий потребителей. Конференции организованы на высоком уровне и созданы все условия для эффективной и плодотворной работы.
  2. Обратиться в Департамент радиоэлектронной промышленности Минпромторга Росии с предложением: в составе группы по разработке электротехнических изделий (раздел 7) «Подпрограммы...» сформировать дополнительную группу из специалистов предприятий-разработчиков источников вторичного электропитания (ИВЭП) и РЭА для проведения согласования требований к перспективным источникам вторичного электропитания (ИВЭП), определению перечня их разработок и соответствию ЭКБ по разделам 3, 4 и 6 «Подпрограммы...».
  3. Рекомендовать Департаменту радиоэлектронной промышленности Минпромторга Росии особое внимание обратить на развитие следующих направлений в области создания ЭКБ для источников вторичного электропитания (ИВЭП):
  4. - применение карбид-кремниевых технологий для получения высоковольтных, высокотемпературных MOП-транзисторов, диодов Шоттки и других полупроводниковых приборов;
    - создание ключевых высокочастотных МОП-транзисторов по «Trench» технологии с улучшенными характеристиками по быстродействию;
    - создание конденсаторов (и в первую очередь — керамических) с низким тангенсом угла потерь, с малой температурной зависимостью параметров, расширенным диапазоном рабочих температур (как отрицательных, так и положительных), малой зависимостью изменения параметров от числа циклов включения-отключения, увеличенной наработкой, низким эквивалентным последовательным сопротивлением;
    - создание номенклатуры  высокочастотных сердечников с малыми потерями на широкий диапазон индуктивностей.
  5. Рекомендовать предприятиям-производителям ЭКБ и источников вторичного электропитания (ИВЭП) , а так же разработчикам аппаратуры до 1.03.2011 г. направить в  22 ЦНИИИ Минобороны России свои предложения по тематике расширенного совещания.
  6. Рекомендовать 22 ЦНИИИ Минобороны России провести расширенное совещание с основными разработчиками источников вторичного электропитания (ИВЭП) и аппаратуры с целью определения этапов развития ИВЭП с учетом приоритетов требований потребителей и сроков освоения новых разработок ЭКБ, определения возможности включения результатов в проект подпрограммы «Создание электронной компонентной базы...» Федеральной целевой программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса РФ на 2011-2020 годы».
  7. Рекомендовать руководству ОАО «НИИ «Гириконд» обобщить проблемные вопросы по разработке и производству конденсаторов и подготовить предложения в Минпромторг РФ для их решения. Обратить внимание на качество поставляемой продукции и сокращение сроков поставки.
  8. Рекомендовать ОАО «ИСС им. Решетнева» провести корректировку «Программы дополнительных испытаний…» в части сокращения программ проведения ДИ для источников вторичного электропитания (ИВЭП), изготовленных из ЭРИ, прошедших ДИ. Одновременно рекомендуется проработать вопрос о возможности частичного или полного проведения ДИ предприятиями-изготовителями ЭРИ и содержания документов, подтверждающих результаты проведения ДИ.
  9. Обратить внимание 22 ЦНИИИ Минобороны России на ускорение работ по корректировке существующей и разработке новой нормативной документации на источники вторичного электропитания (ИВЭП) (в первую очередь — ОТУ).

 

 

По поручению участников конференции
Председатель оргкомитета     Е.М. Полянский
 

 Решение X научно-технической конференции "Системы и источники вторичного электропитания и элементная база для них"